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STS11NF30L

更新時間:2025-07-03 10:04:36

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STS11NF30L外觀圖

STS11NF30L

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

STS11NF30L 概述

STS11NF30L是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高效率特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏源電壓為30V，在柵極驅(qū)動電壓為4.5V時，典型導通電阻僅為17mΩ，這使得它在低壓開關(guān)電源、負載開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色。此外，這款MOSFET還具備快速開關(guān)速度和低反向傳輸電容，有助于提高電路的整體性能。在實際應用中，可以將其用于筆記本電腦、智能手機和平板電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)中。使用時應注意避免超過最大額定值，并根據(jù)具體應用場景選擇合適的散熱措施以保證穩(wěn)定工作。

STS11NF30L 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STS11NF30L View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1440pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-4121-6

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