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STP75N75F4

更新時間:2025-07-09 07:15:45

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深圳市金科創(chuàng)世紀(jì)電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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STP75N75F4 概述

STP75N75F4是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓（Vds）為75V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時可達(dá)75A。這款MOSFET常用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電器等場合。在實際應(yīng)用中，建議確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET，通常需要10V以上的柵源電壓（Vgs）。設(shè)計時應(yīng)注意散熱管理，因為高電流可能導(dǎo)致顯著發(fā)熱。對于高頻開關(guān)應(yīng)用，應(yīng)盡量減少寄生電感和電容的影響，可通過優(yōu)化PCB布局實現(xiàn)。例如，在設(shè)計DC-DC轉(zhuǎn)換器時，可以采用緊湊的元件布局和短而寬的走線來降低寄生效應(yīng)。

STP75N75F4 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
DeepGATE?, STripFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
75 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
78A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 39A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5015 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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STP75N75F4
STP70L60
STP70N06
STP70N10
STP70N10F4
STP70NF03L
STP75N20
STM8S105C6T6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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