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STP60NF03L

更新時間:2025-05-22 21:31:22

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STP60NF03L外觀圖

STP60NF03L

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 60A TO-220

封裝:TO-220-3

STP60NF03L 概述

STP60NF03L是由意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用SMD封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為10V時典型值僅為0.028歐姆。該器件的最大漏極電流可達60A，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為30V，適合于低壓電源管理電路。此MOSFET廣泛應用于DC-DC轉換器、電池充電器、電機驅動以及各種功率控制電路中。在實際應用中，為了確保穩(wěn)定工作，需注意柵極驅動電壓要足夠高以降低導通電阻，提高效率。設計PCB布局時，應盡量減小源極和漏極走線的電感，有助于減少開關損耗并提升整體性能。對于高速開關應用，還需要合理選擇柵極電阻來優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。

STP60NF03L 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP60NF03L View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
58nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2550pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-12616-5STP60NF03L-ND

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STP60NF03L推薦型號

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STP60NF03L
STP601D
STP607D
STP60L60A
STP60N03
STP60N0514
STP60N06
S8050

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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