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STP4N150

更新時間:2025-06-27 19:47:13

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STP4N150外觀圖

STP4N150

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220

封裝:TO-220-3

STP4N150 概述

STP4N150是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件專為高電壓應(yīng)用設(shè)計，具有1500V的漏源擊穿電壓能力，適用于需要高耐壓特性的場合。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在提升效率方面表現(xiàn)優(yōu)異。典型應(yīng)用場景包括工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動以及各種需要高壓側(cè)開關(guān)的應(yīng)用。在電路設(shè)計中，通常用于替代傳統(tǒng)的繼電器或機械式開關(guān)，以實現(xiàn)更高效和可靠的控制功能。使用時需要注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保提供足夠的驅(qū)動電壓以充分開啟MOSFET。同時，在布局PCB時應(yīng)盡量減小寄生電感，以避免開關(guān)過程中產(chǎn)生過高的電壓尖峰。建議采用適當(dāng)?shù)纳岽胧?，保證器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

STP4N150 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP4N150 View All Specifications
特色產(chǎn)品
1500V MOSFET Family
標(biāo)準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1500V（1.5kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 歐姆 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
160W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
工具箱
497-8014-KIT-ND - KIT WIDE INPUT MOSFET 12VALUES
其它名稱
497-5091-5

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STP4N150
STP40N03
STP40N03L
STP40N10
STP40N20
STP40NF03
STP40NF03L
STM32F103VET6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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