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STP20NE06L

更新時間:2025-07-21 06:13:54

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STP20NE06L外觀圖

STP20NE06L

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 60V 20A TO-220

封裝:TO-220-3

STP20NE06L 概述

STP20NE06L是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能的開關應用，具備低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極電流為20A，耐壓值達到60V，適用于多種電源管理和電機驅(qū)動電路。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器以及各類工業(yè)控制設備中的開關電源部分。在這些應用中，它能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)整體效率。使用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟MOSFET，同時需考慮適當?shù)纳岽胧┍苊膺^熱損壞。對于高頻應用，合理布局PCB走線減少寄生電感影響也非常重要。

STP20NE06L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-2764-5

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