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STP18N55M5

更新時(shí)間:2025-06-02 09:22:55

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

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深圳市科翼源電子有限公司
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STP18N55M5外觀圖

STP18N55M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB

封裝:TO-220-3

STP18N55M5 概述

STP18N55M5是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M5技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性。其最大漏源電壓為550V，適用于高壓應(yīng)用場合。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、照明系統(tǒng)中的LED驅(qū)動(dòng)器、適配器以及工業(yè)控制設(shè)備等。在實(shí)際應(yīng)用中，建議在柵極串聯(lián)一個(gè)小電阻以抑制振鈴現(xiàn)象，并且確保散熱設(shè)計(jì)合理，以維持器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。對(duì)于高壓應(yīng)用，注意PCB布局應(yīng)盡量減小寄生電感，提高電路整體性能。如果用于電源轉(zhuǎn)換電路，可參考典型降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，選用合適的外圍元件參數(shù)以優(yōu)化效率。

STP18N55M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP18N55M5 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
550V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 6.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1352pF @ 100V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-10963-5

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