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STP13N95K3

更新時間:2025-05-22 12:23:01

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STP13N95K3外觀圖

STP13N95K3

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 950V 10A 190W TO-220

封裝:TO-220-3 成形引線

STP13N95K3 概述

STP13N95K3是由意法半導體生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K3技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓（Vds）可達950V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時為13A，這使得它非常適合高電壓、大電流的應用場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關電源（SMPS）、太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅動等需要高壓功率轉換的場合。設計時應注意適當的散熱措施以確保器件長期穩(wěn)定工作。在實際電路設計中，推薦使用低電感布局并選擇合適的柵極驅動電阻來優(yōu)化開關性能。此外，還需注意柵極電壓不應超過±30V以避免損壞器件。

STP13N95K3 規(guī)格參數

其它有關文件
STP13N95K3 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH3™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
950V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
850 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1620pF @ 100V
功率 - 最大
190W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 成形引線
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
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