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STP11N65M5

更新時間:2025-05-19 19:46:58

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STP11N65M5外觀圖

STP11N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N CH 650V 9A TO-220

封裝:TO-220-3

STP11N65M5 概述

STP11N65M5是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏極-源極電壓為650V，適合于高壓電路設計。典型應用場景包括開關電源、照明系統(tǒng)中的鎮(zhèn)流器等。在開關電源中，STP11N65M5可用于同步整流電路，提高電源效率。由于其良好的熱穩(wěn)定性和高耐壓能力，在設計時需注意柵極驅動電壓的選擇，建議使用12V至20V范圍內(nèi)的驅動電壓以確保最佳性能。此外，為了防止過壓損壞，可以在電路中加入鉗位二極管或瞬態(tài)電壓抑制器來保護MOSFET。對于需要高效能量轉換的應用場合，此款MOSFET是理想選擇。

STP11N65M5 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
620pF @ 100V
功率 - 最大
85W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
497-13170

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