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STP03D200

更新時間:2025-07-04 09:14:09

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STP03D200外觀圖

STP03D200

STMicroelectronics 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN DARL 1200V 100MA TO220

封裝:TO-220-3

STP03D200 概述

03D200是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款功率MOSFET，采用DPAK封裝形式。該器件設計用于高效能功率轉換應用，具備低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為200V，能夠承受較高的電壓應力，在工業(yè)控制、電源管理和電機驅動等應用中表現(xiàn)出色。在電路設計中，STP03D200適合用作高壓側或低壓側開關元件，也可應用于DC-DC轉換器和逆變器電路。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇，以確保完全開啟MOSFET，降低導通損耗。此外，為了提高系統(tǒng)可靠性，建議在實際應用中添加適當?shù)纳岽胧?，并合理布局PCB走線，減少寄生電感的影響。

STP03D200 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP03D200 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN - 達林頓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
2V @ 500µA，50mA
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
200 @ 30mA，10V
功率 - 最大
40W
頻率 - 轉換
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-7022-5

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