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STN2NE10L

更新時間:2025-06-16 10:25:48

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STN2NE10L外觀圖

STN2NE10L

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

STN2NE10L 概述

STN2NE10L是意法半導體生產(chǎn)的一款功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.3歐姆，有助于降低導通損耗。其漏源擊穿電壓可達100V，適合在較高電壓環(huán)境下使用。該MOSFET適用于多種電源管理應用，如直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等場景。在實際應用中，需注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確保MOSFET充分導通。例如在設計一個同步降壓轉(zhuǎn)換器電路時，可將此MOSFET作為高邊或低邊開關管使用，并且要保證驅(qū)動電路能夠提供足夠的電流來快速充放電柵極電容，減少開關損耗。

STN2NE10L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
345pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
帶卷 (TR)

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