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STL34N65M5

更新時間:2025-05-17 09:02:39

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公司現(xiàn)貨庫存，假一賠十

昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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STL34N65M5 概述

STL34N65M5是由STMicroelectronics生產(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效能開關電源應用。其最大漏源電壓（Vds）為650V，連續(xù)漏極電流（Id）可達34A。典型應用包括服務器和通信電源、太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、以及各種工業(yè)級開關模式電源（SMPS）。在電路設計中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保最佳性能，如安裝足夠大的散熱片或采用強制風冷。此外，在PCB布局時應盡量縮短高頻節(jié)點走線長度，并使用低阻抗電容以減少噪聲干擾。

STL34N65M5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
MDmesh? V
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
22.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
120 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
62.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），150W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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