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STL160N3LLH6

更新時間:2025-05-20 23:01:22

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STL160N3LLH6外觀圖

STL160N3LLH6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56

封裝:8-PowerVDFN

STL160N3LLH6 概述

STL160N3LLH6是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用先進的第三代HEXFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件最大漏極電流為160A，耐壓值為30V，適用于高效能的電源管理電路。典型應用場景包括同步整流、直流-直流轉換器以及電機驅動等需要高效率和緊湊設計的場合。在PCB布局時應注意減小源極電感以優(yōu)化開關性能，并確保足夠的散熱措施以維持穩(wěn)定工作溫度。設計時應參考官方提供的熱阻數據進行散熱器選型，保證設備可靠運行。

STL160N3LLH6 規(guī)格參數

其它有關文件
STL160N3LLH6 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
160A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.3 毫歐 @ 17.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
61.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6375pF @ 25V
功率 - 最大
80W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商設備封裝
PowerFlat?（5x6）
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-11204-6

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廣東微爾科技有限公司

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STL105NS3LLH7
STL110N10F7
SR540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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