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STI21N65M5

更新時間:2025-05-20 20:21:46

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無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
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國產(chǎn)品牌isc，替代進(jìn)口

深圳市富萊微科技有限公司
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TO2623 Long Leads IPak TO262AA/22+
只做原裝，現(xiàn)貨庫存

深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市程涵電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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STMicroelectronics
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STI21N65M5外觀圖

STI21N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

STI21N65M5 概述

STI21N65M5是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M5技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)21A，非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等場合。在實(shí)際應(yīng)用中，STI21N65M5常被用作主開關(guān)管，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低熱損耗。建議在設(shè)計時注意其最大工作電壓不要超過額定值，并確保良好的散熱條件。典型電路設(shè)計中，可與同步整流電路配合使用，以進(jìn)一步提升效率。此外，在PCB布局時應(yīng)盡量縮短柵極走線長度，減少寄生電感影響。

STI21N65M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STI21N65M5 View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
179 毫歐 @ 8.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1950pF @ 100V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
I2PAK
包裝
管件
其它名稱
497-11328-5

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STI21N65M5相關(guān)型號

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STI21N65M5
STI22NM60N
STI23NM60ND
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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