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STGP12NB60K

更新時間:2025-06-09 05:34:26

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STGP12NB60K外觀圖

STGP12NB60K

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 600V 30A 125W TO220

封裝:TO-220-3

STGP12NB60K 概述

12NB60K是由意法半導體生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有600V的漏源電壓（VDSS）和12A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。該MOSFET適用于高頻開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動和其他需要高效能轉(zhuǎn)換的工業(yè)應用。在實際應用中，建議將STGP12NB60K用于同步整流電路或DC-DC轉(zhuǎn)換器中。由于其快速開關(guān)速度，可以有效降低開關(guān)損耗。使用時應注意柵極驅(qū)動電路的設計，確保足夠的驅(qū)動電壓（典型值為10V），以實現(xiàn)最佳的導通電阻性能。此外，在PCB布局時應盡量減小寄生電感，避免影響器件的開關(guān)性能。對于散熱設計，推薦采用適當?shù)纳崞骰蛏崞瑏肀ＷC器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

STGP12NB60K 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.8V @ 15V，12A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
功率 - 最大
125W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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