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STGB3NC120HDT4

更新時間:2025-06-18 09:18:53

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STGB3NC120HDT4外觀圖

STGB3NC120HDT4

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 1200V 14A 75W D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STGB3NC120HDT4 概述

STGB3NC120HDT4是意法半導體生產的一款碳化硅（SiC）MOSFET。它專為高壓應用設計，具有1200V的漏源電壓額定值。該器件采用先進的溝槽柵極技術，可提供低導通電阻和高開關速度，有助于提高系統(tǒng)效率并減少功率損耗。其典型應用包括電動汽車（EV）充電器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和工業(yè)電機驅動等需要高效能和高可靠性的場合。封裝形式為DPAK，適合表面貼裝工藝，在緊湊的空間內實現(xiàn)高性能電力轉換。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計，并遵循推薦的驅動電路參數(shù)以確保穩(wěn)定運行。

STGB3NC120HDT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGB3NC120HD View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.8V @ 15V，3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
14A
功率 - 最大
75W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-11215-6

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STGB10NB40LZT4
STM32F103VBT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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