STFI20N65M5是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET，采用先進(jìn)的MDmesh M5技術(shù)制造。這款N溝道MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。其最大漏極電流為20A，耐壓高達(dá)650V，適合于需要高效率和高可靠性的場(chǎng)合。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。該器件能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，確保在惡劣環(huán)境下的可靠性。使用時(shí)應(yīng)注意合理的散熱設(shè)計(jì)，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。建議在PCB布局中優(yōu)化熱路徑，并遵循制造商推薦的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳開(kāi)關(guān)特性。

STFI20N65M5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,453現(xiàn)貨
系列
MDmesh? V
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類(lèi)型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
190 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1345 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
I2PAKFP（TO-281）
封裝/外殼
TO-262-3 整包，I2Pak

芯知識(shí)

2.1萬(wàn)

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