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STF16N65M5

更新時間:2025-06-15 13:43:43

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STF16N65M5外觀圖

STF16N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF16N65M5 概述

STF16N65M5是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET，采用先進的MDmesh M5技術。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和其他高效能電力電子設備中。其最大漏極電流為16A，擊穿電壓高達650V，能夠滿足大多數(shù)工業(yè)級應用的需求。在電路設計中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保最佳性能和可靠性。該型號特別適合于需要高效率和緊湊設計的應用場景，如太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)和電機驅動控制。使用時應注意遵循推薦的工作條件和電氣參數(shù)范圍，避免超出額定值導致器件損壞。

STF16N65M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STF16N65M5 View All Specifications
產(chǎn)品培訓模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
299 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 100V
功率 - 最大
25W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-8893-5

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