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STF10P6F6

更新時間:2025-05-21 03:40:47

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STF10P6F6 概述

STF10P6F6是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于多種電源管理應用。其最大漏源電壓為60V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導通電阻僅為17.5mΩ，有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各類需要高效功率控制的設備中。在實際應用中，建議確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET完全導通，同時注意散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。對于電機驅(qū)動電路，需考慮反電動勢的影響，適當增加保護元件如二極管等。

STF10P6F6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
DeepGATE?, STripFET? VI
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
10A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
160 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 48 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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