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STD60NF3LL

更新時間:2025-06-17 23:02:51

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STD60NF3LL 概述

STD60NF3LL是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的SuperMESH+技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓Vds為30V，連續(xù)漏極電流Id為60A，在10V柵源電壓下的導通電阻Rds(on)典型值僅為2.7mΩ，非常適合高效電源轉(zhuǎn)換應用。此MOSFET廣泛應用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關等場合。在實際使用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且要注意散熱設計，以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。由于其低柵極電荷特性，可實現(xiàn)較低的開關損耗，有助于提高整體系統(tǒng)效率。在PCB布局時，盡量縮短源極和柵極引線長度，以減少寄生電感影響。

STD60NF3LL 規(guī)格參數(shù)

典型關斷延遲時間
36.5 ns
典型接通延遲時間
22 ns
典型柵極電荷@Vgs
30 nC V @ 4.5
典型輸入電容值@Vds
2210 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
6.2mm
封裝類型
DPAK
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引腳數(shù)目
3
最低工作溫度
-55 °C
最大功率耗散
100000 mW
最大柵源電壓
±16 V
最大漏源電壓
30 V
最大漏源電阻值
0.01
最大連續(xù)漏極電流
60 A
最高工作溫度
+175 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
6.6mm
高度
2.4mm

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