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STB9NK50Z

更新時間:2025-05-21 12:41:13

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詢價

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深圳市誠研翔科技有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代

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STB9NK50Z 概述

STB9NK50Z是由意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源應用。其最大漏極電流為9A，最大漏源電壓達到500V，能滿足大多數(shù)中高壓應用需求。此款MOSFET常用于DC-DC轉換器、開關電源、逆變器等電力電子設備中，也可作為繼電器替代品用于電機驅(qū)動電路。在實際應用時應注意，柵極驅(qū)動電壓需保持在規(guī)定范圍內(nèi)以確?？煽块_啟與關閉。建議使用適當?shù)纳岽胧?，特別是在大功率應用場合下，保證良好的熱管理可以有效提升系統(tǒng)可靠性并延長器件使用壽命。設計電路時還應考慮輸入濾波電容的選擇以減小電壓尖峰對MOSFET的影響。

STB9NK50Z 規(guī)格參數(shù)

典型關斷延遲時間
45 ns
典型接通延遲時間
17 ns
典型柵極電荷@Vgs
32 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
910 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
9.35mm
封裝類型
D2PAK
尺寸
10.4 x 9.35 x 4.6mm
引腳數(shù)目
3
最低工作溫度
-55 °C
最大功率耗散
110000 mW
最大柵源電壓
±30 V
最大漏源電壓
500 V
最大漏源電阻值
0.85
最大連續(xù)漏極電流
7.2 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
10.4mm
高度
4.6mm

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STB9NK50ZT4
STB95N3LLH6
STB95N4F3
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STB9NB60
SRV05-4

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