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STB32NM50N

更新時間:2025-05-21 22:54:12

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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回收此型號STB32NM50N

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STB32NM50N 概述

STB32NM50N是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機驅(qū)動等應用場合。其最大漏源電壓(VDS)為500V，連續(xù)漏極電流(ID)可達32A，柵極電荷(Qg)較低，有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率。在電路設計中，需確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)完全導通，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。建議使用適當?shù)木彌_電路來吸收瞬態(tài)電壓尖峰，避免損壞MOSFET。此型號廣泛應用于工業(yè)控制、不間斷電源(UPS)和消費電子設備中。

STB32NM50N 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
22A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
130 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
62.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1973 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

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STB30NM60N
STB32N65M5
SN74HC04N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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