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STB22NM60N

更新時間:2025-07-03 13:29:13

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廠商
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詢價

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STB22NM60N外觀圖

STB22NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB22NM60N 概述

STB22NM60N是由意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高電壓和大電流應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達22A，適合用于各種電源轉換器、不間斷電源（UPS）、電機驅動和其他工業(yè)控制設備中。由于其低導通電阻（Rds(on)）特性，在減少功耗方面表現(xiàn)出色。在設計電路時應注意散熱管理以確保器件穩(wěn)定工作，推薦使用適當?shù)纳崞蚶鋮s系統(tǒng)。典型應用場景包括高頻開關電源、照明控制系統(tǒng)及電動工具驅動電路。在實際應用中，需關注柵極驅動信號的完整性以避免誤觸發(fā)或損壞器件。

STB22NM60N 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STB22NM60N View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
44nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 50V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-10298-6

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STB200NF04LT4
STB200NF04T4
STM32F103VET6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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