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STB21N65M5

更新時間:2025-07-31 08:33:23

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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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回收此型號STB21N65M5

北京睿宸齊芯科技有限公司
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深圳市永貝爾半導(dǎo)體有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市鎧翰智能工控有限公司
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原裝正品現(xiàn)貨假一罰十ST全系列訂貨

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STB21N65M5外觀圖

STB21N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB21N65M5 概述

STB21N65M5是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET，采用先進(jìn)的MDmesh M5技術(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)21A，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定性能。由于其優(yōu)秀的開關(guān)特性和高可靠性，STB21N65M5廣泛應(yīng)用于電源適配器、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及家用電器等需要高效能量管理的場合。在實際應(yīng)用中，建議使用適當(dāng)?shù)纳岽胧┮源_保最佳工作溫度，并通過合理的門極驅(qū)動電路來優(yōu)化開關(guān)性能。

STB21N65M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STB21N65M5 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 8.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1950pF @ 100V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-10562-6

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STB20N65M5
SG3525AN

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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