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STB141NF55

更新時間:2025-06-13 18:09:15

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STB141NF55外觀圖

STB141NF55

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB141NF55 概述

STB141NF55是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓Vds為55V，連續(xù)漏極電流Id在25℃時可達14A。它被廣泛應用于DC-DC轉換器、負載開關以及電池管理系統(tǒng)中。由于其優(yōu)異的熱性能和高效率特點，特別適合用于便攜式設備和電源管理電路。在實際應用中，建議將柵極驅動電壓保持在10V以上以確保最低的導通電阻。設計PCB布局時需注意減小源極電感，避免高頻振蕩。此外，在柵極串聯一個小電阻(如10Ω)有助于抑制開關過程中的尖峰電壓。

STB141NF55 規(guī)格參數

其它有關文件
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標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
142nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5300pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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