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SPP35N10

更新時間:2025-05-24 14:44:59

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SPP35N10 概述

SPP35N10是由Silan微電子生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源轉換應用。其最大漏極電流可達35A，耐壓值為100V，非常適合中等功率的DC-DC轉換器、電機驅動以及不間斷電源(UPS)系統。在電路設計中，SPP35N10常用于同步整流電路，可以顯著提高電源效率。由于其低柵極電荷，能夠實現快速開關，減少開關損耗。使用時需注意確保適當的柵極驅動電壓，推薦使用10V以上的驅動電壓以獲得最佳性能。此外，在高頻率應用中應考慮PCB布局對寄生參數的影響，盡量減小走線長度以降低噪聲干擾。

SPP35N10 規(guī)格參數

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
35 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
44 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Tube
下降時間
23 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
23 S / 12 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
150 W
上升時間
63 ns
工廠包裝數量
500
典型關閉延遲時間
39 ns

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