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SPP11N80C3

更新時間:2025-06-12 21:53:00

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SPP11N80C3 概述

SPP11N80C3是由英飛凌科技生產(chǎn)的高壓MOSFET，適用于高頻開關(guān)電源應用。該器件具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，能夠有效降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓為800V，連續(xù)漏極電流可達11A，適合用于反激式轉(zhuǎn)換器、諧振變換器等拓撲結(jié)構(gòu)中。在實際應用中，這款MOSFET常被用于LED驅(qū)動電源、適配器、PC電源以及工業(yè)電源等領(lǐng)域。由于其優(yōu)化的開關(guān)性能，可幫助設(shè)計人員實現(xiàn)更高密度和更高效能的電源解決方案。建議在使用時仔細參考數(shù)據(jù)手冊中的柵極驅(qū)動要求，確保正確的門極驅(qū)動電壓以避免不必要的功率損耗或器件損壞。對于需要高可靠性和長壽命的應用場合，此款產(chǎn)品是一個理想的選擇。同時，在布局PCB時應注意減小寄生電感，以充分發(fā)揮其高速開關(guān)的優(yōu)勢。

SPP11N80C3 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 7.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 680µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
85nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1600pF @ 100V
功率 - 最大
156W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000013701SP000683158SPP11N80C3INSPP11N80C3XSPP11N80C3XKSPP11N80C3XTINSPP11N80C3XTIN-ND

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SPP11N80C3XK
SPP100N04S2-04
SPP1013
SPP1013S52RG
SPP1023
SPP10N10
STM8S105K4T6C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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