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SPB80N06S-08

更新時間:2025-06-15 16:13:57

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
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廠商
封裝/批號
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

上海熠富電子科技有限公司
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深圳市群川盛達電子有限公司
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SPB80N06S-08 概述

SPB80N06S-08是由英飛凌（Infineon）公司生產(chǎn)的功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種高效率電源管理應(yīng)用。其最大漏極電流可達80A，耐壓值為60V，非常適合用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等場景。在實際應(yīng)用中，由于其低柵極電荷特性，可以顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)整體效率。設(shè)計時需注意柵極電阻的選擇以優(yōu)化開關(guān)速度，同時確保散熱設(shè)計合理，避免過熱損壞。在電路布局上，盡量縮短源極與漏極之間的引線長度，減少寄生電感影響，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。對于需要高效能和緊湊設(shè)計的電源系統(tǒng)來說，SPB80N06S-08是一個理想的選擇。

SPB80N06S-08 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
55 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
80 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
8 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時間
32 ns
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
73 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
300 W
上升時間
53 ns
典型關(guān)閉延遲時間
54 ns
零件號別名
SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08XT

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SPB80N04S2-04
STM32F103RBT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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