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SPB07N60S5

更新時間:2025-05-16 08:20:30

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨只做原廠原裝優(yōu)勢庫存自家?guī)齑?/p>

深圳市華盛錦科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市程信達偉業(yè)電子有限公司
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英飛凌/西門子
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IC銷售

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，配單小能手

深圳市銘科微電子有限公司
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深圳市慶馳電子科技有限公司
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原裝原裝//可提供技術(shù)支持//簽質(zhì)保5年

深圳市楚勝電子有限公司
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PGTO2633/D2PAK (TO263)/22+
房間現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。

深圳市得捷訊電子有限公司
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INFINEON/英飛凌
TO263/22+
原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市富科達科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨熱賣，價格優(yōu)勢

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77300
TO263
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原裝正支持實單

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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

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公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單

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深圳市馨軒電子科技有限公司
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SPB07N60S5 概述

SPB07N60S5是由英飛凌（Infineon）公司生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。該器件采用了先進的溝槽技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達7A，非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電動機控制等需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。在實際應用中，推薦使用該MOSFET作為高壓側(cè)開關(guān)或同步整流器。設(shè)計時需注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保柵極電壓足夠高以實現(xiàn)最佳性能。此外，由于其高開關(guān)速度，PCB布局應盡量減小寄生電感，避免振蕩現(xiàn)象。對于散熱管理，建議采用適當?shù)纳岽胧绨惭b散熱片或利用PCB銅箔散熱，以維持器件在安全工作溫度范圍內(nèi)運行。

SPB07N60S5 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
600 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
7.3 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.6 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時間
20 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
83 W
上升時間
40 ns
工廠包裝數(shù)量
1
典型關(guān)閉延遲時間
170 ns
零件號別名
SP000012111 SPB07N60S5ATMA1 SPB07N60S5XT

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