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SISS27DN-T1-GE3

更新時間:2025-06-01 01:04:07

供應商
產品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市誠研翔科技有限公司
SISS27DN-T1-GE3
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原裝現(xiàn)貨

深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市顥天電子有限公司
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百分百原裝，有掛有貨，假一賠十

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原裝現(xiàn)貨

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝正品，配單能手

深圳市科芯源微電子有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

深圳市華盛錦科技有限公司
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惠州市利灣智能科技有限責任公
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深圳市誠研翔科技有限公司
SISS27DN-T1-GE3
8000
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深圳現(xiàn)貨只做原裝芯引力電子 https//www.xyl-mlcc

昂富（深圳）電子科技有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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一級代理
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一級代理保證

深圳市科圳威電子有限公司
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60701
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SISS27DN-T1-GE3 概述

SISS27DN-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用小型的SOT-23封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于需要節(jié)省空間的緊湊型電路設計中。典型應用包括負載開關、電源管理以及DC-DC轉換器等便攜式電子設備領域。該元件的最大漏極-源極電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達4.4A（在特定條件下）。其低柵極電荷量有助于實現(xiàn)快速切換，從而提高整體系統(tǒng)效率。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，非常適合用于電池供電的手持設備如智能手機和平板電腦中的電源路徑管理。在實際應用中應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。

SISS27DN-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5.6 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5250 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.8W（Ta），57W（Tc）
工作溫度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8S
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8S

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廣東微爾科技有限公司

SISS27DN-T1-GE3相關型號

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SISS27DN-T1-GE3
S9013

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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