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SIR418DP-T1-GE3

更新時間:2025-05-18 13:57:01

供應商
產(chǎn)品型號
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說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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優(yōu)勢國外原裝現(xiàn)貨2周，價優(yōu)

深圳市科圳威電子有限公司
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SIR418DP-T1-GE3 概述

SIR418DP-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用DPAK封裝形式。該器件專為高效能應用設(shè)計，在低柵極電荷和低導通電阻之間實現(xiàn)了良好的平衡，適用于高速開關(guān)電路。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊、負載切換以及電池供電設(shè)備中的功率控制部分。在這些應用中，其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性有助于提升系統(tǒng)整體效率并減少能量損耗。使用時應注意正確選擇驅(qū)動電壓以確?？煽块_啟和關(guān)閉MOSFET，同時考慮到其最大額定值如漏源電壓（VDSS）、連續(xù)漏極電流（ID）等參數(shù)，避免超出安全工作區(qū)域?qū)е聯(lián)p壞。在PCB布局上，建議優(yōu)化散熱路徑以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。

SIR418DP-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
75nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2410pF @ 20V
功率 - 最大
39W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應商設(shè)備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

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