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SI7110DN-T1-GE3

更新時間:2025-07-04 14:31:18

供應(yīng)商
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SI7110DN-T1-GE3 概述

SI7110DN-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。這款MOSFET適用于多種功率管理應(yīng)用，在計算機、通信設(shè)備以及消費類電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色。典型應(yīng)用場景包括負載開關(guān)、電源管理電路中的同步整流器等。在實際應(yīng)用中，需確保柵極驅(qū)動電壓足夠以完全開啟MOSFET，建議使用合適的門極電阻來控制開關(guān)速度并減少振鈴現(xiàn)象。對于需要高效能電源轉(zhuǎn)換的設(shè)計，此款MOSFET是一個可靠的選擇。注意遵循制造商提供的最大額定值以保障元件正常工作。

SI7110DN-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.3 毫歐 @ 21.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerPAK? 1212-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI7110DN-T1-GE3TR

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SI7106DN
SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-GE3
SY8120B1ABC

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