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SI5403DC-T1-GE3

更新時間:2025-06-14 12:42:33

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SI5403DC-T1-GE3 概述

SI5403DC-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用小型的TSOP-6封裝。該MOSFET具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為30mΩ（典型值22mΩ）。其漏極 - 源極擊穿電壓為30V，適合用于低壓高頻開關應用，例如DC - DC轉換器、負載開關等場景。在DC - DC轉換器中，可以有效降低導通損耗，提高轉換效率；作為負載開關使用時，能夠快速響應控制信號實現(xiàn)電路通斷，并且由于其小封裝特點，有助于節(jié)省電路板空間。

SI5403DC-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫歐 @ 7.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
42nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1340pF @ 15V
功率 - 最大
6.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
1206-8 ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI5403DC-T1-GE3TR

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