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SI4542DY-T1

更新時間:2025-07-07 03:45:57

供應商
產品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
SI4542DY-T1
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深圳市萬佳電子貿易有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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安富微（深圳）商貿有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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SI4542DY-T1 概述

SI4542DY-T1 是由 Vishay 公司生產的一款雙通道 N 溝道 MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝，適用于需要高效功率轉換的應用場景。其最大漏源電壓（VDS）為 30V，連續(xù)漏極電流（ID）可達 16A。由于具有低導通電阻（RDS(on)），在開關電源、負載切換和電池管理等應用中表現(xiàn)出色。此外，該 MOSFET 還具備快速開關特性，有助于減少開關損耗并提高整體效率。在同步整流電路中，SI4542DY-T1 能夠提供穩(wěn)定可靠的性能，廣泛應用于消費電子、計算機和通信設備等領域。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇，以確保最佳的導通狀態(tài)。

SI4542DY-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
N and P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
6.9 A, 6.1 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
25 mOhms, 32 mOhms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
封裝
Reel
下降時間
15 ns, 25 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2 W
上升時間
10 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
60 ns, 55 ns

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