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SI4532DY-T1-E3

更新時間:2025-07-03 19:17:19

供應商
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說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市恒芯巨能電子有限公司
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SI4532DY-T1-E3 概述

SI4532DY-T1-E3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的雙N溝道MOSFET。它采用SO-8封裝，具有低導通電阻和高效率特性。每個MOSFET的最大漏源電壓（VDSS）為20V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時可達6.8A。該器件適用于多種功率管理應用，如負載開關、電源轉換器等。其優(yōu)化的柵極電荷使得它非常適合高頻操作，在DC-DC轉換器中能夠?qū)崿F(xiàn)快速切換并降低開關損耗。由于具備良好的熱性能和緊湊的封裝設計，適合用于空間受限且需要高效散熱的應用場景，例如筆記本電腦、智能手機和平板電腦等便攜式設備中的電源管理系統(tǒng)。在使用時需注意遵循正確的布線規(guī)則以減少寄生效應，并確保散熱良好。

SI4532DY-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N and P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
3.9 A, 3.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
65 mOhms, 85 mOhms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
封裝
Reel
下降時間
6 ns, 8 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2 W
上升時間
9 ns, 9 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
18 ns, 14 ns
零件號別名
SI4532DY-E3

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