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SI4166DY-T1-GE3

更新時間:2025-05-23 16:46:09

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原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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深圳市訊運電子有限公司
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只做原裝正品，假一罰十，大量現(xiàn)貨，特價銷售

深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

深圳市硅諾電子科技有限公司
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

深圳市鋰斯特電子有限公司
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一級代理現(xiàn)貨保證進口原裝假一罰十價格合理

深圳市偉欣華電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

瀚佳科技（深圳）有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市納艾斯科技有限公司
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SI4166DY-T1-GE3 概述

SI4166DY-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。它采用SO-8封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET的最大漏源電壓為-20V，適用于需要高效功率管理的應用場景。其典型應用包括負載開關、電源管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等便攜式電子設備中。在電池供電系統(tǒng)中，它可以有效降低功耗并提高效率。設計電路時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確保MOSFET充分導通，并考慮散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。

SI4166DY-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.9 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3730pF @ 15V
功率 - 最大
6.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI4166DY-T1-GE3-NDSI4166DY-T1-GE3TR

SI4166DY-T1-GE3 相關搜索

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SI4100DY-T1-E3
SI4100DY-T1-GE3
SI4101
SI4102DY
SI4102DY-T1-GE3
SF18

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