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SI3590DV-T1-GE3

更新時間:2025-05-18 17:26:37

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳羚行科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
SI3590DV-T1-GE3
8913
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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SI3590DV-T1-GE3 概述

SI3590DV-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款雙N溝道MOSFET，采用PowerPAK 1212封裝。該器件具有低導通電阻和高效率特點，適用于負載開關、電池保護電路以及電源管理等應用。其最大漏源電壓為30V，適合在低壓系統(tǒng)中使用。由于其良好的熱性能和緊湊的封裝設計，特別適合空間受限的應用場景。在實際應用中，應注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET能夠完全導通，同時需考慮PCB布局以優(yōu)化散熱效果。對于需要快速切換和低功耗的應用，如便攜式設備中的電源管理模塊，SI3590DV-T1-GE3是一個理想的選擇。

SI3590DV-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A，1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
77 毫歐 @ 3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
830mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商設備封裝
6-TSOP
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

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