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SI3443DDV-T1-GE3

更新時間:2025-06-03 19:57:39

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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專營貼片二三極管橋堆原裝現(xiàn)貨特價拋售

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

深圳市新億利電子有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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SI3443DDV-T1-GE3 概述

SI3443DDV-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性。其最大漏源電壓(VDS)為30V，適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關以及電源管理應用中。由于其出色的導電性能，可以有效降低電路中的功率損耗，在需要高效能電源管理的便攜式設備如手機、平板電腦等產(chǎn)品中有廣泛應用。在實際應用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET處于完全導通狀態(tài)，并且在PCB布局上盡量減小寄生電感對開關性能的影響。

SI3443DDV-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Ta），5.3A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
47 毫歐 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
30 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
970 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），2.7W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

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廣東微爾科技有限公司

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SP485EEN

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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