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SI2399DS-T1-GE3

更新時間:2025-05-17 23:49:03

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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SI2399DS-T1-GE3 概述

SI2399DS-T1-GE3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET，采用DPAK封裝。該MOSFET具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻僅為0.068Ω，這有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏極電流可達30A，適用于高電流需求的應用場景。該器件廣泛應用于電源管理領域，如負載開關、電池保護電路和直流到直流轉換器等。在便攜式設備中，它能夠有效控制功率分配，延長電池使用時間。此外，由于其良好的熱性能和緊湊的封裝尺寸，也適合于空間受限的設計場合。設計時應注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET充分導通，并合理布局以利于散熱。

SI2399DS-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
34 毫歐 @ 5.1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
835 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

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SI2399DS-T1-GE3
SI2300
SI2300BDS-T1-E3
SI2300DS
SI2300DS-T1-E3
SI2300DS-T1-GE3
SI2301
STM9435

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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