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SI1902DL-T1-GE3

更新時間:2025-05-18 00:11:52

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
SI1902DL-T1-GE3
BOM配單
只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)
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深圳市偉欣華電子有限公司
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優(yōu)勢
120000
VISHAY/威世
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

深圳市中元偉業(yè)電子商行
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3000
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SOT363/24+
現(xiàn)貨優(yōu)勢庫存可供更多數(shù)量

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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一級代理商可提供技術(shù)方案支持

深圳市奧利騰科技有限公司
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SOT363/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市岳泰達(dá)電子有限公司
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深圳市博偉奇電子有限公司
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高品質(zhì) 優(yōu)選好芯

深圳市永貝爾半導(dǎo)體有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
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SC706/-
原裝原盤原盒可追溯

深圳市南烽電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，提供配單服務(wù)

云漢時代半導(dǎo)體(深圳）有限公
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原裝現(xiàn)貨

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

中杰盛科技有限公司
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36000
Vishay
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只做原裝有貨

深圳市偉科芯電子科技有限公司
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6740
VISHAY/威世
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只做原裝

深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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HAMOS/漢姆
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原裝現(xiàn)貨

深圳市捷立輝科技有限公司
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只做原裝價一賠億掛了就有貨

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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5000
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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

深圳市賽思爾科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)

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十年配單，只做原裝

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3000個/圓盤一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期

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深圳市米數(shù)科技有限公司
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只做原裝，價格市場

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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6740
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只做原裝

深圳市藍(lán)軍科技有限公司
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6740
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只做原裝

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，配單能手

深圳市亞泰電子有限公司
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公司現(xiàn)貨只做原裝

深圳市顥天電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市偉欣華電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

深圳市科圳威電子有限公司
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TSSOP/24+
深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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DIODES
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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

上海熠富電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市福啟達(dá)科技有限公司
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深圳市鵬昇微電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨/樣品可出

深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市納艾斯科技有限公司
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只做自己原裝現(xiàn)貨，10年保證

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SI1902DL-T1-GE3 概述

SI1902DL-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET，采用DPAK封裝。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻特性，在4.5V柵源電壓下最大導(dǎo)通電阻僅為0.06Ω，可有效降低導(dǎo)通損耗。其連續(xù)漏極電流可達(dá)18A，適用于高電流負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括電源管理中的負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及DC - DC轉(zhuǎn)換器等。在電池供電設(shè)備中，它能高效地控制電源通斷，提高系統(tǒng)整體效率。由于其封裝小巧且性能優(yōu)越，也適合用于空間受限的便攜式電子設(shè)備中。使用時需注意散熱設(shè)計，避免長時間過載運(yùn)行導(dǎo)致器件損壞。在電路設(shè)計中，應(yīng)合理選擇驅(qū)動電阻值以確?？煽块_啟和關(guān)閉MOSFET。

SI1902DL-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
660mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
385 毫歐 @ 660ma，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
270mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SC-70-6
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI1902DL-T1-GE3TR

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廣東微爾科技有限公司

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SI1900DL-T1-E3
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SI19025CTU
SI1902CDL
SI1902DL-T1
SI1902DL-T1-E3
STM32F105RCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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