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SI1469DH-T1-E3

更新時間:2025-06-10 19:15:27

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SI1469DH-T1-E3 概述

SI1469DH-T1-E3是Vishay公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET適用于多種功率管理應用，如直流-直流轉換器、電源開關、負載切換等。在筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設備中，可用于高效地控制電源通斷，減少能量損耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時應注意遵循標準的MOSFET驅動電路設計原則，確保柵極電壓足夠以完全開啟器件，并注意散熱設計以防止過熱損壞。

SI1469DH-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據列表
SI1469DH
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
470pF @ 10V
功率 - 最大
2.78W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SC-70-6
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI1469DH-T1-E3TR

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