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SGP04N60

更新時間:2025-05-18 23:44:30

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SGP04N60 概述

SGP04N60是來自Silicon Genesis Corporation或類似的功率MOSFET器件，但更可能的制造商是類似英飛凌等知名廠商。此型號具體指一種N溝道增強型功率MOSFET，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件設計用于高頻開關電源、直流-直流轉換器以及各種需要高效電能管理的應用中。例如，在服務器電源、通信電源模塊中，SGP04N60能夠有效降低能量損耗并提高系統(tǒng)效率。在電動工具、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)里也常見其身影。使用時需注意散熱設計以確保器件在安全工作區(qū)域內(nèi)運行。建議為MOSFET配備適當?shù)纳崞?，并合理布局電路板以?yōu)化熱性能。此外，驅(qū)動電路的設計應保證柵極電壓足夠高以充分開啟MOSFET，同時避免過沖導致器件損壞。在實際應用中，可參考制造商提供的典型應用電路進行設計。請注意，確切的制造商信息可能需要進一步核實以獲取最準確的技術文檔支持。

SGP04N60 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SGx04N60
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.4V @ 15V，4A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
9.4A
功率 - 最大
50W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000683110

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