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SCT30N120

更新時間:2025-05-22 18:12:36

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SCT30N120 概述

SCT30N120是由ROHM公司生產(chǎn)的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和高耐壓特性，額定電壓為1200V，適合于高壓應用場合。其優(yōu)秀的開關(guān)性能使得能量損耗大幅降低，特別適用于高頻開關(guān)電源、太陽能逆變器及電動汽車充電樁等需要高效能量轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在實際應用中，設計者應注意合理選擇驅(qū)動電路以確?？焖偾铱煽康拈_關(guān)操作，同時要充分考慮散熱設計來保證器件穩(wěn)定工作。例如，在一個典型的DC-DC轉(zhuǎn)換器電路中，可將此MOSFET用作主開關(guān)管，并配合合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度。

SCT30N120 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
100 毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 1mA（標準）
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
105 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
270W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
HiP247?
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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