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RTL020P02TR

更新時間:2025-05-23 12:19:25

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RTL020P02TR

ROHM Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6

封裝:6-SMD，扁平引線

RTL020P02TR 概述

RTL020P02TR是Rohm半導體公司生產的一款低壓N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽柵極技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為20V，適用于需要高效能開關的便攜式設備和電源管理應用。典型應用場景包括智能手機、平板電腦和其他消費類電子產品中的負載開關和電池保護電路。在設計時需注意其最大功耗限制，并確保散熱設計合理以避免過熱損壞。對于PCB布局，建議盡量縮短源極和柵極走線長度，減少寄生電感影響。此型號因其良好的電氣特性和緊湊封裝形式，在現代便攜式設備中廣泛應用。

RTL020P02TR 規(guī)格參數

產品培訓模塊
MOSFETs
特色產品
ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
135 毫歐 @ 2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
4.9nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
430pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
TUMT6
包裝
帶卷 (TR)

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