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RFD7N10LESM

更新時間:2025-06-13 15:43:26

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RFD7N10LESM 概述

RFD7N10LESM是Rohm公司生產的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.1Ω。其漏極 - 源極擊穿電壓可達100V，適合在高電壓電路中使用。該MOSFET可用于開關電源、電機驅動等功率轉換和控制領域。在開關電源應用中，它能高效地進行電能轉換，減少能量損耗；在電機驅動電路里，可作為功率開關管來控制電機的運行狀態(tài)。使用時需注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。在電路設計時要確保柵極驅動電壓滿足要求以保證可靠開啟和關閉MOSFET。

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