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RFD3055LE

更新時間:2025-07-04 05:43:52

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深圳市硅諾電子科技有限公司
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RFD3055LE外觀圖

RFD3055LE

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

RFD3055LE 概述

R055LE是由Rohm公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23FL封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值為36mΩ。該器件最大漏極電流可達2A，適用于多種電路設計需求。此款MOSFET常用于電源管理、負載開關和電機驅動等應用中。例如在便攜式設備的電源路徑管理電路里，可以高效地控制電源的通斷。在電機驅動方面，可用于小型直流電機的速度控制與方向切換。由于其緊湊的封裝形式，特別適合對空間有嚴格要求的產(chǎn)品設計。使用時應注意遵循最大額定值規(guī)范，防止過壓或過流導致器件損壞。在電路布局上要盡量減小走線電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

RFD3055LE 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
107 毫歐 @ 8A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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RL207

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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