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RF4E080BNTR

更新時間:2025-06-11 22:07:34

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RF4E080BNTR 概述

RF4E080BNTR是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款射頻前端模塊。該芯片集成了功率放大器、低噪聲放大器及開關(guān)功能，適用于GSM和EDGE標準的手機和其他無線通信設(shè)備。它支持四頻GSM/GPRS/EDGE應用，在提高傳輸效率的同時降低了功耗。其緊湊的封裝形式有助于減少終端產(chǎn)品的尺寸。在手機設(shè)計中，RF4E080BNTR可直接與基帶芯片連接，簡化了射頻電路的設(shè)計流程。使用時應注意提供穩(wěn)定的電源電壓，并根據(jù)實際需求合理配置外圍元件參數(shù)。例如，在匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計上需精確計算電感和電容值以達到最佳性能。此外，由于是射頻器件，布局布線時要特別注意信號完整性，避免干擾影響通信質(zhì)量。

RF4E080BNTR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,110現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
17.6 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
HUML2020L8
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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