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RCX200N20

更新時間:2025-05-19 03:39:15

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深圳市中納芯電子有限公司
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RCX200N20 概述

RCX200N20是由Rohm公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和高速開關(guān)特性，適用于多種電源管理應(yīng)用。其設(shè)計旨在優(yōu)化效率，減少功率損耗，特別適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電池供電設(shè)備等場景。在實際應(yīng)用中，RCX200N20通常用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。例如，在便攜式電子設(shè)備中作為電源管理的關(guān)鍵組件，能夠有效提升設(shè)備的整體性能。此外，由于其良好的熱穩(wěn)定性和高可靠性，也常被應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊。使用時應(yīng)注意選擇合適的柵極驅(qū)動電壓以確保MOSFET完全開啟，并根據(jù)具體電路需求合理布局PCB，盡量減小寄生電感的影響。對于高頻應(yīng)用，需特別關(guān)注MOSFET的開關(guān)速度與功耗之間的平衡。

RCX200N20 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
130現(xiàn)貨
系列
-
包裝
散裝
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
130 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.23W（Ta），40W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220FM
封裝/外殼
TO-220-3 整包

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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