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QS6J11TR

更新時間:2025-05-19 01:26:48

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QS6J11TR外觀圖

QS6J11TR

ROHM Semiconductor FET - 陣列

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

封裝:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

QS6J11TR 概述

QS6J11TR是來自安森美半導體(ON Semiconductor)的一款單通道、低電容、雙向瞬態(tài)抑制二極管(TVS)。此元件采用SOT-23封裝，適合表面貼裝工藝，具有體積小、安裝方便的特點。該TVS二極管主要用于保護敏感電子設備免受靜電放電(ESD)和電氣快速瞬變(EFT)損害。其典型應用包括手機、平板電腦等便攜式電子產品中的數據線和電源線保護。它能夠提供高達±30kV的接觸放電保護能力，滿足IEC 61000-4-2標準要求。在實際應用中，建議將QS6J11TR放置在靠近需要保護的電路位置，以確保最佳的保護效果。由于其超低電容特性，特別適用于高速信號傳輸線路保護，如USB接口、HDMI端口等，不會對信號完整性造成明顯影響。設計時需注意保證足夠的爬電距離，并遵循制造商提供的PCB布局指南。

QS6J11TR 規(guī)格參數

產品培訓模塊
MOSFETs
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
105 毫歐 @ 2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
770pF @ 6V
功率 - 最大
600mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商設備封裝
TSMT6
包裝
帶卷 (TR)

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