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PSMN1R0-40YLDX

更新時間:2025-05-21 07:43:22

供應商
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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中研正芯（深圳）電子科技有限
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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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進口原裝現(xiàn)貨假一賠十

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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回收此型號，工廠呆料處理

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PSMN1R0-40YLDX 概述

PSMN1R0-40YLDX是Nexperia公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用LFPAK56封裝，具有極低的導通電阻，在40V電壓條件下典型值僅為1.0mΩ，這有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。該MOSFET適用于高效率直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電池保護電路等應用場合。在電源管理系統(tǒng)中可用于實現(xiàn)快速開關(guān)操作，滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和緊湊設計的要求。其良好的熱性能使得它能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。使用時需注意遵循推薦的PCB布局指南以確保最佳的散熱效果和電氣性能，例如增大源極焊盤面積來改善散熱。在實際電路設計中，可將其與驅(qū)動芯片搭配用于同步整流電路，實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。

PSMN1R0-40YLDX 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
15,640現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
280A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.1 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
127 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8845 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
198W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669

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廣東微爾科技有限公司

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PSMN003-25W
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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