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PSMN015-110P

更新時間:2025-07-04 09:53:51

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PSMN015-110P 概述

PSMN015-110P是一款由Nexperia公司生產(chǎn)的增強型功率MOSFET。該器件采用先進的硅技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（VDS）為100V，在25℃時連續(xù)漏電流（ID）可達43A。它被廣泛應用于各種高效電源管理系統(tǒng)中，如同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電電路等場景。在實際應用中，建議設計者關注其散熱管理，以確保器件能在安全工作溫度范圍內(nèi)運行。由于其低柵極電荷（Qg），非常適合高頻開關應用，有助于提高整體系統(tǒng)效率。在PCB布局時應盡量縮短源極和柵極走線長度，減少寄生電感影響。對于驅(qū)動電路的設計，需保證足夠的驅(qū)動能力來實現(xiàn)快速開關，同時避免過沖導致的損壞風險。

PSMN015-110P 規(guī)格參數(shù)

制造商
NXP
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
110 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
75 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.0405 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Rail
下降時間
50 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
300 W
上升時間
65 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關閉延遲時間
95 ns
零件號別名
PSMN015-110P,127

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